技術(shù)編號(hào)：10625676
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體器件制造過程中，需要采用微結(jié)構(gòu)制造技術(shù)在襯底上形成各種膜層圖形。最常用的形成膜層圖形的方法之一為刻蝕(Etch)。除刻蝕以外，剝離工藝(Lift-offProcess)是另一種形成膜層圖形的微結(jié)構(gòu)制造技術(shù)，它能夠形成從納米量級(jí)到厘米量級(jí)的各種微結(jié)構(gòu)。剝離工藝是一種采用犧牲材料(如光刻膠)在襯底的表面形成目標(biāo)材料結(jié)構(gòu)的方法。它避免了干法、濕法刻蝕中的襯底損傷和離子污染的問題，且工藝簡單，非常適合于金屬圖形化。具體的，參考圖1至圖3，示出了現(xiàn)有技術(shù)一種...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。