技術(shù)編號：10625682
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。雙極型晶體管在結(jié)構(gòu)上包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，按照導(dǎo)電類型雙極型晶體管又可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管。以NPN型晶體管為例，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)為N型半導(dǎo)體，基區(qū)為P型半導(dǎo)體。發(fā)射區(qū)的N型半導(dǎo)體若為N型摻雜的多晶硅，則稱為多晶硅發(fā)射極晶體管，往往應(yīng)用在高頻領(lǐng)域，圖1A為多晶硅發(fā)射極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1A所示， 包括作為晶體管的集電區(qū)的N型襯底，P型基區(qū)，以及由N型擴(kuò)散區(qū)和N型多晶硅共同構(gòu)成的發(fā)射區(qū)，厚氧化層覆蓋的區(qū)域?yàn)閳鰠^(qū)，場區(qū)之外的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)。...
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