技術編號：10628169
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種包含至少一個磷雜庚環(huán)(phosphepine)的化合物在半導體材料中作為基質材料的用途，所述半導體材料以及電子器件。所述磷雜庚環(huán)基質材料可以用鋰復合物摻雜。專利說明包含磷雜庚環(huán)基質化合物的半導體材料本發(fā)明涉及包含磷雜庚環(huán)(phosphepine)的有機化合物作為半導體材料和/或在 半導體材料中的用途，包含磷雜庚環(huán)基質化合物的具有改進的電學性能的半導體材料，以 及利用磷雜庚環(huán)化合物和/或本發(fā)明的半導體材料的改進的電學性能的電子器件。背景技術 在...
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