技術(shù)編號(hào):10663727
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。從1950年代末發(fā)明集成電路以來,電路設(shè)計(jì)一直在不斷發(fā)展,特別是對(duì)于集成器件,與開發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)是一致的。早期的技術(shù)是雙極技術(shù),與后來的集成電路技術(shù)相比,其占用了半導(dǎo)體襯底表面上的大量空間,并需要大量的電流而由此產(chǎn)生高功耗。稍后的場效應(yīng)技術(shù),特別是M0S(金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù),使用晶體管,與它們的雙極型對(duì)手相比小得多,具有較低電流,因而具有低功耗。CMOS(互補(bǔ)M0S)技術(shù)更進(jìn)一步降低了集成電路中的電流和功耗。目前幾乎所有大規(guī)模集成電路已經(jīng)轉(zhuǎn)向了互補(bǔ)金屬氧...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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