技術(shù)編號：10860257
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。米勒效應(yīng)所產(chǎn)生的電容和峰值問題在日常工作中，屬于一種比較常見的情況。在IGBT模塊操作中，如果沒有及時處理米勒電容問題，很容易造成IGBT損壞。在日常的工作過程中，IGBT模塊操作時一旦出現(xiàn)了米勒效應(yīng)的寄生電容問題，往往見于明顯的在O到15V類型的門極驅(qū)動器，也就是工程師們常說的單電源驅(qū)動器。門集-電極之間的耦合在IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通，也就是門集電壓尖峰，這對于IGBT乃至整機(jī)來說，都是一種潛在的危險。通常情況下，為了防...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。