技術(shù)編號(hào):10941638
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。LED晶片的制作方法為在一襯底上沉積包括N型層、發(fā)光層和P型層的外延層;然后制備P、N電極,當(dāng)P、N電極注入電流后,電流穿過(guò)外延層使N型層中的電子和P型層中的空穴在發(fā)光層處復(fù)合發(fā)光;最后通過(guò)劃裂工藝分割形成獨(dú)立的LED芯片。為避免后續(xù)外延層沉積過(guò)程中應(yīng)力較大產(chǎn)生的襯底翹曲,通常需在較厚的襯底上沉積外延層,襯底的材質(zhì)為藍(lán)寶石,而后續(xù)劃裂時(shí),由于藍(lán)寶石襯底硬度較大,為便于劃裂,通常需將襯底減薄至一定的厚度。目前,通常采用研磨、硬拋和軟拋光工藝減薄襯底。目前的硬...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。