技術(shù)編號：10960600
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在薄膜太陽能電池生產(chǎn)過程中，由于工藝本身因素，薄膜電池核心膜層成膜設(shè)備一沉積爐內(nèi)部不可避免會有硅粉產(chǎn)生，在下一批次薄膜電池核心膜層成膜時，硅粉會影響膜層生長，導(dǎo)致成膜質(zhì)量變差，進(jìn)而影響薄膜電池產(chǎn)品的電性能，如果長時間不清理，硅粉會越積越多，對成膜工藝的影響越來越大。因此在下一批薄膜電池成膜之前，需要把殘留在沉積爐內(nèi)部表面上的硅粉清除干凈，降低硅粉在核心膜層成膜過程中對膜層質(zhì)量的影響。因為沉積爐溫度在250°C，為了提高設(shè)備的使用效率，不能待設(shè)備降溫后進(jìn)行清...
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