技術(shù)編號：109754
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造光電器件和其它半導(dǎo)體器件的氫化非晶硅合金。為了調(diào)制氫化非晶硅合金的光學(xué)帶隙，要求在此合金中摻入碳原子或鍺原子。例如，碳的光學(xué)帶隙比硅的大，因而在氫化非晶硅合金中摻入碳就使該合金的光學(xué)帶隙增大。相反，鍺的光學(xué)帶隙比硅的小，因而在氫化非晶硅合金中摻入鍺就使該合金的光學(xué)帶隙減小。同樣，為了調(diào)制氫化非晶硅合金的導(dǎo)電性能，要求在此合金中摻入硼原子或磷原子在氫化非晶硅合金中摻入硼，形成一個(gè)正摻雜的導(dǎo)電區(qū)。相反，在氫化非晶硅合金中摻入磷，則形成一個(gè)負(fù)摻雜的導(dǎo)電區(qū)。氫化非晶硅合金薄膜是在沉積室內(nèi)通過沉積來制備。迄...
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