技術編號：11055598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種微電子、射頻微波測量方法，特別涉及一種LDMOS器件內匹配方法。背景技術針對目前大功率器件的內匹配電路設計，一般使用LC組成的“T”型網絡結構或者“π”型匹配網絡結構進行匹配，如圖1-2所示，實現(xiàn)將裸芯片較小的阻抗值匹配到適合測試的阻抗。針對器件工作頻率較低的范圍，器件本身特性導致低頻段穩(wěn)定性較差，容易產生振蕩，最終造成器件燒毀甚至導致測試儀器燒毀。為了達到更高的輸出功率，器件柵寬逐漸增大，芯片的輸入阻抗變得越來越低，器件無載Q值會變得很高，饋送電信號的幅度不平衡和相位不平衡的...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。