技術(shù)編號:11061155
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及高純氧化亞硅的制備技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是中頻感應(yīng)加熱方式制備高純氧化亞硅的方法及設(shè)備。背景技術(shù)氧化亞硅微粉因極富有活性,可作為精細陶瓷如氮化硅、碳化硅等合成原料;在真空中將其蒸發(fā),涂在光學儀器用的金屬反射鏡面上,可作為光學玻璃和半導體材料;氧化亞硅還可用于制備性能優(yōu)良的鋰離子電池負極材料。氧化亞硅的制備原理為Si+SiO2→SiO,將硅粉和二氧化硅按1∶1摩爾比混合,在真空條件下加熱后獲得產(chǎn)物。這個反應(yīng)是可逆反應(yīng),如果進一步降低壓力,提高溫度,平衡則向氧化亞硅側(cè)移動。早期的氧化亞硅生產(chǎn)裝...
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