技術(shù)編號：110648
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。目前，半導(dǎo)體硅電力元件多采用鉬片作為芯片支承體。但是，鉬與硅的熱膨脹系數(shù)相差較大，鉬約為5×10-6℃-1，硅僅為3～4×10-6℃-1，在管芯的燒結(jié)或焊接時，由于硅芯片與支承體鉬片的收縮率不同，易造成管芯變形，甚至芯片破裂;燒結(jié)法制造管芯時，在硅芯片與鉬片之間加入的鋁箔會與鉬形成MoSi2，其電阻是鉬的4倍，熱膨脹系數(shù)是鉬的1.5倍，這導(dǎo)致管芯壓降增大，結(jié)溫升高，并使硅芯片與支承體鉬片之間的粘潤性惡化。解剖硅電力元件的實(shí)測數(shù)據(jù)表明，鉬硅之間的粘潤面積大多數(shù)在80%左右;鉬片在高溫下會產(chǎn)生氧化...
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