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技術(shù)編號(hào)：11101097

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：本發(fā)明涉及SOI晶圓的制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種SOI片的制備方法。背景技術(shù)SOI材料被譽(yù)為“二十一世紀(jì)硅集成電路技術(shù)”的基礎(chǔ)，他可以消除或者減輕體硅中的體效應(yīng)、寄生效應(yīng)以及小尺寸效應(yīng)等，在超大規(guī)模集成電路、光電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。SOI材料的制備技術(shù)歸根結(jié)底包括兩種，即以離子注入為代表的注氧隔離技術(shù)(SIMOX)和鍵合技術(shù)(Bond)。鍵合技術(shù)包括傳統(tǒng)的BondandEtchback(BESOI)技術(shù)和法國SOITEC公司創(chuàng)始人之一M.Bmel提出結(jié)合氫離子注入與鍵合的注氫智能剝離技術(shù)...
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