技術(shù)編號(hào)：11102809
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種憶阻器及其應(yīng)用。背景技術(shù)憶阻器(memristor)是除電阻器、電容器、電感器之外的第四種基本無源電子器件。“蔡少棠”最早于1970年代在研究電荷、電流、電壓和磁通量之間關(guān)系時(shí)推斷出這種元件的存在，并指出它代表著電荷和磁通量之間的關(guān)聯(lián)。憶阻器具有電阻的量綱，但有著不同于普通電阻的非線性電學(xué)性質(zhì)。憶阻器的阻值會(huì)隨著流經(jīng)它的電荷量而發(fā)生改變，并且能夠在斷開電流時(shí)保持它的阻值狀態(tài)。這種電流控制型憶阻系統(tǒng)阻值與施加電壓及時(shí)間等滿足一定的數(shù)學(xué)關(guān)系，然而具有這種數(shù)學(xué)關(guān)系...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。