技術(shù)編號(hào):11122518
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于稻殼制備多孔碳化硅材料的方法,屬于碳化硅材料制備技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)碳化硅材料由于自身的微觀形貌和晶體結(jié)構(gòu)使其具備更多獨(dú)特的優(yōu)異性能和更加廣泛的應(yīng)用前景,被普遍認(rèn)為有望成為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的重要組成單元。碳化硅納米材料具有高的禁帶寬度,高的臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率,小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率,以及抗輻射能力強(qiáng),機(jī)械性能好等特性,成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。碳化硅納米線表現(xiàn)出的室溫光致發(fā)光性,使其成為制造藍(lán)光發(fā)光二極管和激...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。