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技術(shù)編號(hào)：11136721

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本發(fā)明涉及一種倒裝LED芯片的制作方法，尤其是一種PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）沉積DBR的倒裝LED芯片的制作方法，屬于LED芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)現(xiàn)在LED市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)異常激烈，對(duì)LED芯片的性能要求在不斷提高，目前國內(nèi)外LED倒裝芯片用DBR做絕緣層和反射層，LED芯片上整層DBR增加了反射面積，在不影響芯片其他性能的同時(shí)對(duì)亮度提升很明顯；DBR（distributedBraggreflection）又叫分...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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