技術(shù)編號：11136724
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種AlGaInP基發(fā)光二極管芯片及其制作方法。背景技術(shù)AlGaInP基發(fā)光二極管(LightEmitingDiode，簡稱LED)已廣泛應(yīng)用于汽車照明、全彩顯示屏和可見光通訊等領(lǐng)域。AlGaInP基LED芯片自下而上包括基板、以及依次層疊在基板上的粘結(jié)層、反射鏡層、P型GaP電流擴展層、P型AlInP限制層、有源層、N型AlInP限制層、N型AlGaInP電流擴展層。在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：AlGaInP的折射率(約為2.9)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。