技術(shù)編號(hào):11147046
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種二次電子發(fā)射薄膜的簡(jiǎn)易制備方法,具體涉及一種以銀/鋁/鈦金屬為基材采用磁控濺射技術(shù)沉積具有優(yōu)異次級(jí)電子發(fā)射性能的MgO薄膜的制備方法,屬于二次電子發(fā)射陰極材料的制備技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展,次級(jí)電子發(fā)射材料在真空電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用,如光電倍增管、銫原子鐘、磁控管等軍用、民用真空電子器件。相對(duì)于其他次級(jí)發(fā)射材料,MgO薄膜具備優(yōu)異的次級(jí)發(fā)射性能,在較低的加速電壓(200–600eV)條件下,次級(jí)發(fā)射系數(shù)能維持在3以上,符合多種真空電子器件的實(shí)際使用要求。目...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。