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等離子體蝕刻裝置用電極上設(shè)置的氣體導(dǎo)入孔的測(cè)量方法、電極、電極的再生方法、再生電極、等離子體蝕刻裝置、氣體導(dǎo)入孔的狀態(tài)分布圖及其顯示方法與制造工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11161474

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本發(fā)明涉及等離子體蝕刻裝置用電極上設(shè)置的氣體導(dǎo)入孔的測(cè)量方法、電極、電極的再生方法、再生電極、等離子體蝕刻裝置、氣體導(dǎo)入孔的狀態(tài)分布圖及其顯示方法。背景技術(shù)等離子體蝕刻裝置在真空腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體并且對(duì)半導(dǎo)體晶片等的對(duì)象物進(jìn)行蝕刻。真空腔室內(nèi)設(shè)置承載對(duì)象物的承載臺(tái)和與該承載臺(tái)對(duì)向配置的上部電極。承載臺(tái)上設(shè)有下部電極。而且,上部電極上設(shè)有將氣體導(dǎo)入真空腔室內(nèi)的孔(氣體導(dǎo)入孔)。處理對(duì)象物時(shí),從該孔向真空腔室內(nèi)導(dǎo)入氣體,在下部電極和上部電極之間施加高頻電壓,產(chǎn)生等離子體,來(lái)進(jìn)行對(duì)象物的蝕刻。使用該裝...
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