技術(shù)編號(hào):11161474
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體蝕刻裝置用電極上設(shè)置的氣體導(dǎo)入孔的測(cè)量方法、電極、電極的再生方法、再生電極、等離子體蝕刻裝置、氣體導(dǎo)入孔的狀態(tài)分布圖及其顯示方法。背景技術(shù)等離子體蝕刻裝置在真空腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體并且對(duì)半導(dǎo)體晶片等的對(duì)象物進(jìn)行蝕刻。真空腔室內(nèi)設(shè)置承載對(duì)象物的承載臺(tái)和與該承載臺(tái)對(duì)向配置的上部電極。承載臺(tái)上設(shè)有下部電極。而且,上部電極上設(shè)有將氣體導(dǎo)入真空腔室內(nèi)的孔(氣體導(dǎo)入孔)。處理對(duì)象物時(shí),從該孔向真空腔室內(nèi)導(dǎo)入氣體,在下部電極和上部電極之間施加高頻電壓,產(chǎn)生等離子體,來(lái)進(jìn)行對(duì)象物的蝕刻。使用該裝...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。