技術(shù)編號(hào)：11179259
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種形成具有擴(kuò)展空氣間隙的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)隨著微處理器變得更快和更小，集成電路(IC)變得更加復(fù)雜且部件變得更加密集。由發(fā)送和/或接收電信號(hào)所通過的導(dǎo)電跡線和過孔(共同地稱作“金屬互連”)連接IC部件。通過鑲嵌工藝典型地形成金屬互連結(jié)構(gòu)，由此將導(dǎo)電材料沉積到被蝕刻到半導(dǎo)體襯底中的孔和溝槽中。周圍材料將每個(gè)金屬互連結(jié)構(gòu)與鄰近的金屬互連結(jié)構(gòu)電絕緣。然而，襯底材料的電介質(zhì)性質(zhì)能夠使得相鄰的金屬互連結(jié)構(gòu)之間電容耦合，這增加了芯片功率要求和對(duì)信號(hào)傳輸?shù)母蓴_...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。