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半導體器件、FINFET器件及其形成方法與流程技術資料下載

技術編號:11179381

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本發(fā)明的實施例涉及半導體器件、FinFET器件及其形成方法。背景技術半導體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了指數(shù)增長。IC材料和設計中的技術進步已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC,其中,每一代都比上一代具有更小和更復雜的電路。在IC演化過程中,功能密度(即,每芯片面積的互連器件的數(shù)量)已經(jīng)普遍增大,而幾何尺寸(即,可以使用制造工藝產(chǎn)生的最小組件(或線))已經(jīng)減小。這種按比例縮小工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關成本來提供益處。這種按比例縮小也已經(jīng)增加了處理和制造IC的復雜性,并且為了實現(xiàn)這些進步,需要IC處理和制造...
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