技術(shù)編號:11193509
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及單晶爐生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種單晶爐氣體供應(yīng)系統(tǒng)。背景技術(shù)單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。單晶直徑在生長過程中可受到溫度,提拉速度與轉(zhuǎn)速,坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速,保護氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶,而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量,而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知。溫度分布合適的熱場,不僅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高;如果熱場的溫度分布不是很合理,生長單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,...
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