技術(shù)編號(hào)：11202992
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高密度功率系統(tǒng)封裝技術(shù)，尤其涉及應(yīng)用在高密光收發(fā)組件中的一種系統(tǒng)級(jí)封裝模塊。背景技術(shù)在PSIP模塊(高密度表貼功率系統(tǒng)級(jí)封裝，控制IC、MOSFET、電感電容等器件集成在同一封裝中)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電感即磁性器件一直是小型化集成的難點(diǎn)，傳統(tǒng)的方法是把電感平鋪在有源器件周邊。在對(duì)于高度沒有限制，但對(duì)于板上面積縮小有強(qiáng)烈需求的場合，特別是100G容量光收發(fā)組件，迫切需要一種縮小PSIP占地面積的解決方案?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用其引線框向上外延翻折，電感和引線框通過激光點(diǎn)焊，其框架設(shè)計(jì)難度提升、引線框成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。