技術編號：11214204
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體裝置及其制造方法相關申請的交叉引用2016年3月28日提交的日本專利申請No.2016-063040的公開內容(包括說明書、附圖和摘要)通過引用整體地并入本文。技術領域本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法，并且可以用于制造例如具有金屬柵極電極的半導體裝置。背景技術作為要形成在可以小型化的下一代微計算機的邏輯部分中的晶體管，已知包括金屬柵極電極和高介電常數膜(高k膜)的晶體管。作為形成這種晶體管的方法，已知所謂的后柵工藝，其在襯底之上形成偽柵極電極，然后用金屬柵極電極替換偽柵極電極。作為電可寫/...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。