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技術(shù)編號(hào)：11214206

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一種GaNHEMT器件的制作方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種GaNHEMT器件的制作方法。背景技術(shù)GaN材料以其較寬的禁帶寬度使其為基底的GaNHEMT器件具備高的擊穿電壓、高的電流密度及低的導(dǎo)通電阻，是現(xiàn)代電力傳輸系統(tǒng)的核心器件。GaNHEMT作為電力電子器件的首要條件是增強(qiáng)型工作模式，科研界和產(chǎn)業(yè)界的熱點(diǎn)為具有P型GaN柵極的GaNHEMT器件，具體做法是在柵極金屬和AlGaN勢(shì)壘層之間插入一層P型GaN層，通過(guò)PN內(nèi)建電場(chǎng)將下方AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處的三角形勢(shì)...
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