技術編號：11262673
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明實施例涉及半導體器件制備技術領域，尤其涉及一種BCD器件的制備方法。背景技術BCD工藝是一種單片集成工藝技術，這種技術能夠在同一芯片上制備雙極型晶體管(Bipolar)、CMOS管和DMOS器件，所以通過BCD工藝制備出來的器件為BCD器件。該BCD器件綜合了雙極器件的高跨導、強負載驅動能力和CMOS器件高集成度、低功耗的優(yōu)點以及集成了DMOS功率器件。在制備BCD器件過程中，在襯底有時會出現(xiàn)凹坑，出現(xiàn)襯底凹坑的原因很多，如等離子損傷、硅生長缺陷、硅襯底氮化等。其中有一種襯底凹坑的形成是由...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。