技術(shù)編號：11262674
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及pn接合硅晶片的制造方法。背景技術(shù)針對為了制作立式結(jié)構(gòu)的功率器件而使用的pn接合硅晶片，使用例如如專利文獻(xiàn)1所述那樣地通過化學(xué)蒸鍍法(CVD法)等在支承基板上外延生長具有與支承基板相反導(dǎo)電型的外延層、從而形成pn接合硅晶片的方法。此時，為了實現(xiàn)高耐壓操作，需要沉積百μm以上的外延層。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開平9-213946號公報。發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究可知，上述方法中為了形成層厚為百μm以上的外延層而耗費較長時間，因此產(chǎn)生的問題在于，晶片無法...
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