技術(shù)編號(hào):11268293
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對(duì)晶片等基板進(jìn)行研磨的研磨裝置和研磨方法。背景技術(shù)近年來(lái),伴隨著半導(dǎo)體器件的高集成化/高密度化,電路的布線越來(lái)越微細(xì)化,多層布線的層數(shù)也增加。如果要想實(shí)現(xiàn)電路的微細(xì)化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)多層布線,則階梯差沿著下側(cè)的層的表面凹凸而變大,因此隨著布線層數(shù)的增加,薄膜形成中的相對(duì)于階梯差形狀的膜覆蓋性(階梯覆蓋)變差。因此,為了進(jìn)行多層布線,必須改善該階梯覆蓋,應(yīng)當(dāng)在過(guò)程中進(jìn)行平坦化處理。并且,由于在光刻的微細(xì)化的同時(shí)焦點(diǎn)深度變淺,因此需要對(duì)半導(dǎo)體器件表面進(jìn)行平坦化處理,以使得半導(dǎo)體器件的表面的凹凸階...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。