技術(shù)編號：11275441
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制作方法，更特別關(guān)于微影中的光敏層組成及采用其的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)已快速成長一段時日。集成電路設(shè)計與材料的技術(shù)進(jìn)展，使每一代的集成電路均比前一代的集成電路具有更小且更復(fù)雜的電路。然而上述進(jìn)展增加IC制程的復(fù)雜性，因此集成電路制程需要類似發(fā)展以實現(xiàn)上述進(jìn)展。在集成電路進(jìn)化中，功能密度(如單位芯片所具有的內(nèi)連線裝置數(shù)目)越來越大，而幾何尺寸(如制程所能形成的最小構(gòu)件或線路)則越來越小。上述尺寸縮小制程通常有利于增加產(chǎn)能與降低相關(guān)成本。上述尺寸縮小亦增加集成電...
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