技術(shù)編號：11282462
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施方式在于化學(xué)機械拋光(CMP)領(lǐng)域，且具體地說，在于低密度拋光墊及低密度拋光墊的制造方法。背景技術(shù)化學(xué)機械平坦化或化學(xué)機械拋光(通常簡稱為CMP)是用在半導(dǎo)體制造中的用于使半導(dǎo)體晶片或其它基材平坦化的技術(shù)。該方法涉及使用與直徑典型地大于晶片的保持環(huán)及拋光墊結(jié)合的研磨及腐蝕性化學(xué)漿料(通常為膠體)。通過動態(tài)拋光頭將拋光墊與晶片擠壓在一起且通過塑料保持環(huán)固定在原位。動態(tài)拋光頭在拋光期間旋轉(zhuǎn)。該方法有助于材料的移除且傾向于使任何不規(guī)則的外形平整，使得晶片平坦或平面化。為了設(shè)置用于形成額外電...
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