技術編號：11283830
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及改性膠體二氧化硅及其制造方法、以及使用其的研磨劑。背景技術在半導體設備制造工藝中，隨著半導體設備的性能的提高，需要以更高密度且高集成地制造布線的技術。在這樣的半導體設備的制造工藝中，CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化學機械研磨)成為必需的工藝。隨著半導體電路的微細化的發(fā)展，圖案晶圓的凹凸所要求的平坦性高，也謀求通過CMP而實現(xiàn)納米級的高平滑性。為了通過CMP實現(xiàn)高的平滑性，優(yōu)選以高的研磨速度對圖案晶圓的凸部進行研磨，而另一方面基本不研磨凹部。在此，例如使...
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