技術(shù)編號:11289744
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。實(shí)施例涉及一種發(fā)光元件和一種用于形成該發(fā)光元件的電極層的電子束沉積裝置。背景技術(shù)由于例如諸如寬且容易調(diào)整的帶隙能量的許多優(yōu)點(diǎn),所以諸如例如GaN和AlGaN的III-V族化合物半導(dǎo)體被廣泛用于光電學(xué)和電子元件。具體地,經(jīng)由元件材料與薄膜生長技術(shù)的發(fā)展,例如使用III-V族或II-VI族化合物半導(dǎo)體的發(fā)光二極管或者激光二極管的發(fā)光元件可以實(shí)現(xiàn)例如諸如紅、綠和藍(lán)以及紫外光之類的各種顏色的光,并且通過使用熒光材料或者通過組合顏色還可以實(shí)現(xiàn)具有高光視效能的白光。相比于諸如例如熒光燈和白熾燈的現(xiàn)有光源,這...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。