技術(shù)編號：11290949
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及IGBT電力半導體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種綜合保護電路、綜合保護裝置及塑封裝置。背景技術(shù)目前IGBT電力半導體器件失效、損壞主要形式有過溫、過流和短路。造成IGBT電力半導體器件過溫損壞的是器件的熱疲勞現(xiàn)象，原因有散熱設(shè)計不當，驅(qū)動電路設(shè)計不合理，外界負載發(fā)生的變化等。形成IGBT電力半導體器件過流、短路損壞的原因是負載絕緣不良，外界雜物引起的橋路短路和感性負載發(fā)生的關(guān)斷峰值電壓等。以上的失效損壞形式已經(jīng)包含了IGBT電力半導體器件的95％以上的失效損壞范圍。特別需要注意的是IGBT電力...
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