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一種基于NP溝道互補(bǔ)耗盡型MOSFET整流二極管的制造方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11291474

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本發(fā)明涉及一種二極管,特別涉及一種基于無(wú)線(xiàn)能量傳輸應(yīng)用的整流二極管。背景技術(shù)無(wú)線(xiàn)能量傳輸應(yīng)用中,常采用具有低開(kāi)啟電壓的肖特基二極管來(lái)提高低功率輸入水平下的整流高效率;但是,由于半導(dǎo)體工藝局限性,具有低開(kāi)啟電壓的肖特基二極管難以實(shí)現(xiàn)較高的截止電壓,即具有強(qiáng)低功率敏感度的肖特基二極管,難以實(shí)現(xiàn)高功率容量。在一些需要寬功率動(dòng)態(tài)范圍的無(wú)線(xiàn)能量傳輸應(yīng)用中,具有低開(kāi)啟電壓的肖特基二極管難以勝任。同時(shí),半導(dǎo)體工藝決定低開(kāi)啟電壓的肖特基二極管具有較大的飽和電流,即反向漏電流,降低整流器的整流效率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明...
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