技術(shù)編號：11325188
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是關(guān)于一種記憶體系統(tǒng)，特別是關(guān)于一種采用差動式架構(gòu)的非揮發(fā)性記憶體裝置及其運作方法。背景技術(shù)隨著數(shù)字技術(shù)的快速發(fā)展以及各種電子產(chǎn)品的推陳出新，針對記憶體元件于性能上的要求(如，高密度與快速儲存)變得愈加嚴(yán)格。依據(jù)目前的集成芯片系統(tǒng)的制程趨勢，記憶體通常須與集成芯片系統(tǒng)透過單芯片化技術(shù)整合為單一芯片以進行芯片系統(tǒng)的微縮。因此，記憶體元件相應(yīng)地采用單一復(fù)晶硅柵極的方式以符合對于芯片系統(tǒng)微縮的需求。然而，隨著芯片系統(tǒng)的微縮，記憶體元件的柵極氧化層的厚度也隨之縮小，當(dāng)柵極氧化層厚度過小時，記憶體元...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。