技術(shù)編號(hào)：11325548
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低頻率損耗GaN基微波功率器件，可用于通訊，衛(wèi)星導(dǎo)航，雷達(dá)系統(tǒng)和基站系統(tǒng)中。背景技術(shù)隨著科技水平的提高，現(xiàn)有的第一、第二代半導(dǎo)體材料已經(jīng)無法滿足更高頻率、更高功率電子器件的需求，而基于氮化物半導(dǎo)體材料的電子器件則可滿足這一要求，大大提高了器件性能，使得以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料在微波毫米波器件制造中有了廣泛的應(yīng)用。GaN是一種新型寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有許多硅基半導(dǎo)體材料所不具備的優(yōu)良特性，如寬禁帶寬度，高擊穿電場，以及較高的熱導(dǎo)率，且耐腐蝕，抗輻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。