技術(shù)編號(hào)：11334466
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，例如，一種優(yōu)選適用于反熔絲存儲(chǔ)器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，作為通過破壞絕緣膜來可進(jìn)行一次性數(shù)據(jù)寫入的反熔絲存儲(chǔ)器，周知的有具有如美國專利第6,667,902號(hào)的說明書(專利文獻(xiàn)1)中所示的結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲(chǔ)器。該專利文獻(xiàn)1中所示的反熔絲存儲(chǔ)器具有在阱上并列地形成開關(guān)晶體管和存儲(chǔ)器電容的雙晶體管結(jié)構(gòu)。實(shí)際上，具有晶體管結(jié)構(gòu)的開關(guān)晶體管中，在阱上夾著開關(guān)柵絕緣膜形成有開關(guān)柵極，在開關(guān)柵極上連接有字線，且在形成于阱表面的一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域連...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。