技術(shù)編號：11334495
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置相關(guān)申請的相互參照本申請基于2015年2月25日提出的日本專利申請第2015－35360號及2016年2月17日提出的日本專利申請第2016－28255號主張優(yōu)先權(quán)，這里引用其記載內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及溝槽柵型的形成有絕緣柵型雙極晶體管(以下簡稱作IGBT)的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往，作為在工業(yè)用馬達(dá)等電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體裝置，已知有形成有IGBT的裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。具體而言，在該半導(dǎo)體裝置中，在具有N－型的漂移層的半導(dǎo)體基板的表層部形成有基極層，在基極層與漂移層之間形...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。