技術(shù)編號(hào)：11348503
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)中的設(shè)備，具體涉及一種用于生產(chǎn)硅烷的隔壁塔。背景技術(shù)現(xiàn)有硅烷的制造方法主要有改良西門子法、日本小松電子法(硅化鎂法)、氫化鋰還原三氯氫硅法、美國MEMC公司專有的氫化鋁鈉還原四氟化硅法和氯硅烷經(jīng)氫化和二次歧化反應(yīng)法(UCC法)，這些工藝路線都存在自身的缺陷，例如原料的限制、生產(chǎn)成本高昂、反應(yīng)轉(zhuǎn)化率低等。這些因素使得硅烷的生產(chǎn)技術(shù)門檻較高，集中于有限的幾家生產(chǎn)企業(yè)，也造成了作為原料的硅烷在多晶硅制造領(lǐng)域應(yīng)用不是很廣泛，僅在流化床法顆粒硅生產(chǎn)領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。相比于現(xiàn)有改良...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。