技術(shù)編號：11352866
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種適用于C波段GaN多芯片合成的微波大功率器件防振蕩寬帶匹配電路，屬于微波器件技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)對微波功率器件的總體要求是輸出功率大、功率密度高、寬工作頻帶、較高的發(fā)射效率、能線性工作以及低成本和高可靠性。輸出功率達(dá)百瓦級以上的C波段GaN微波大功率器件，一般需要進(jìn)行多芯片合成。單芯片GaN的輸入輸出阻抗都比較低，需要進(jìn)行器件內(nèi)匹配，來提升器件的輸入輸出阻抗。由于微型化和低成本的要求，器件一般采用通用的封裝管殼進(jìn)行器件封裝，而且器件的輸入輸出阻抗都匹配到50歐姆。器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。