技術(shù)編號(hào)：11372024
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及SiC生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種溫度可控的SiC生長(zhǎng)坩堝平臺(tái)。背景技術(shù)人造SiC通常是在坩堝中進(jìn)行生產(chǎn)的，坩堝是通過石墨平臺(tái)進(jìn)行支撐的，石墨平臺(tái)起到均熱作用，在SiC生長(zhǎng)過程中，需要對(duì)坩堝進(jìn)行加熱，但是一般的SiC生長(zhǎng)坩堝都是直接在坩堝上通電使之加熱，這種加熱方式容易使坩堝能夠在短時(shí)間內(nèi)溫度驟升，使得坩堝內(nèi)的溫度難以控制。另外，當(dāng)加熱結(jié)束后，由于石墨平臺(tái)依然處于溫度較高的狀態(tài)，難以使得坩堝內(nèi)的溫度在短時(shí)間內(nèi)降下來(lái)，這也造成了SiC生長(zhǎng)過程中的溫度難控問題。基于上述問題，設(shè)計(jì)發(fā)明一種新型的...
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