技術(shù)編號:11388094
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。直流脈沖等離子體系統(tǒng)優(yōu)先權(quán)要求本申請要求于2016年2月29日提交的題為“DirectCurrentPulsingPlasmaSystems”的美國臨時專利申請No.62/301,591的優(yōu)先權(quán),其通過引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實施方式涉及等離子體處理系統(tǒng),并且更具體而言,涉及利用直流(DC)脈沖作為功率源的等離子體處理系統(tǒng)。背景技術(shù)等離子體長期以來被用于處理襯底(例如,半導(dǎo)體晶片、平板等)以形成電子產(chǎn)品(例如,集成電路、平板顯示器等)。半導(dǎo)體晶片通常放置在具有光致抗蝕劑掩模層的蝕刻室中以選...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。