技術(shù)編號:11400340
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及提拉式晶體生長技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種改善的用于Nd:YAG晶體提拉的設(shè)備。背景技術(shù)晶體提拉法又稱丘克拉斯基法,此法是由熔體生長單晶的一項最主要的方法,適用于大尺寸完美晶體的批量生產(chǎn)。被加熱的提拉爐中盛著熔融的料,籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體,由于固液界面附近的熔體維持一定的過冷度、熔體沿籽晶結(jié)晶,并隨籽晶的逐漸上升而生長成棒狀單晶。目前國內(nèi)提拉法生長Nd:YAG單晶使用的坩堝底部邊緣為直角,在提拉生長過程中,底部邊緣熔液容易產(chǎn)生亂流,影響坩堝內(nèi)熔液的自然對流,導(dǎo)致熔液中摻雜離子N...
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