技術(shù)編號：11405816
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)射成像系統(tǒng)，具體地，涉及一種用于發(fā)射成像設(shè)備的檢測器以及包括該檢測器的發(fā)射成像設(shè)備。背景技術(shù)包括正電子發(fā)射成像設(shè)備的發(fā)射成像設(shè)備已經(jīng)被用于醫(yī)療診斷。以正電子發(fā)射成像設(shè)備為例，其利用正電子同位素衰變產(chǎn)生出的正電子與人體內(nèi)負(fù)電子發(fā)生泯滅效應(yīng)的現(xiàn)象，通向人體內(nèi)注射帶有正電子同位素標(biāo)記的化合物，采用復(fù)合探測的方法，利用檢測器探測泯滅效應(yīng)所產(chǎn)生的γ光子。該檢測器主要包括三部分，如圖1所示，即由離散的閃爍晶體組成的晶體矩陣110、玻璃光導(dǎo)層120和光電倍增管(PMT)矩陣130。每個(gè)閃爍晶體除了...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。