技術(shù)編號(hào)：11407714
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2012年5月3日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2012-0047066的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)一般地，諸如DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的半導(dǎo)體器件包括經(jīng)由全局I/O線傳送和接收數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)體。圖1是一種現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的框圖。參見圖1，半導(dǎo)體器件10包括：第一至第四存儲(chǔ)體11A至11D，所述第一至第四存儲(chǔ)體11A至11D彼此以特定的距離平行布置...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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