技術(shù)編號：11408518
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子器件，尤其涉及金/硅共晶芯片焊接方法及晶體管。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體的芯片通常采用金/硅共晶焊的方式實現(xiàn)和芯片載體的物理連接，具體實現(xiàn)過程是：如圖1和圖2所示，首先在具有金屬材質(zhì)的芯片載體21的表面電鍍金層，然后在高于金/硅共晶溫度(363℃)下將具有硅基體的芯片23在芯片載體21上的焊接區(qū)域22進(jìn)行摩擦，金/硅反應(yīng)形成液態(tài)的金/硅合金，冷卻后，形成的金/硅合金層24實現(xiàn)芯片23和芯片載體21之間的物理連接。但是要實現(xiàn)芯片與芯片載體的良好連接，一般要求芯片載體上鍍金層厚度至少為2.5微...
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