技術編號：11409501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路技術領域，具體涉及一種嵌入式存儲器自適應工作參數(shù)調整方法。背景技術隨著嵌入式閃存工藝技術節(jié)點的演進，目前已經(jīng)進入55nm乃至40nm節(jié)點。。嵌入式閃存的工作需要對應的電路來提供擦寫、編程的高壓和讀取單元數(shù)據(jù)的一些模擬信號(參考電壓、電流等)。邏輯器件隨著工藝的持續(xù)微縮，性能越來越好，功耗越低。但是嵌入式閃存單元，隨著特征尺寸的持續(xù)微縮，閃存單元工作區(qū)間窗口變小、variation變大、可靠性性能也降低，對擦寫的條件(高壓、時間)的在不同環(huán)境下的工作(精準度等)特性提出了越來越高...
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