技術(shù)編號(hào)：11409753
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種氮化鎵晶圓片邊緣處理方法。背景技術(shù)目前，無(wú)論是消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)車(chē)(EV)或家用電器，工程師正面對(duì)更加嚴(yán)格的要求，必須提升電源轉(zhuǎn)換效能、提高功率密度水準(zhǔn)、延長(zhǎng)電池使用時(shí)間以及加快開(kāi)關(guān)速度。這一切皆意味著電子產(chǎn)業(yè)將會(huì)變得越來(lái)越依賴(lài)于新型的功率半導(dǎo)體，采用不再以硅(Si)為基礎(chǔ)的制程技術(shù)。隨著容量可能達(dá)到前所未有的性能基準(zhǔn)，氮化鎵(GaN)正成為一項(xiàng)新興的制程技術(shù)，影響電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的未來(lái)發(fā)展。在任何電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，某種程度的電源轉(zhuǎn)換損耗是肯定的，但由于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。