技術(shù)編號：11409755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導體結(jié)構(gòu)、自支撐氮化鎵層及其制備方法。背景技術(shù)第三代半導體材料由于能量禁帶一般大于3.0電子伏，又被稱為寬禁帶半導體。相比于傳統(tǒng)的硅基和砷化鎵基半導體材料，寬禁帶半導體(例如碳化硅、氮化鎵、氮化鋁及氮化銦等)由于具有特有的禁帶范圍、優(yōu)良的光、電學性質(zhì)和優(yōu)異的材料性能，能夠滿足大功率、高溫高頻和高速半導體器件的工作要求，在汽車及航空工業(yè)、醫(yī)療、通訊、軍事、普通照明及特殊條件下工作的半導體器件等方面具有十分廣泛的應用前景。氮化鎵作為典型的第三代半導體材料，具...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。