技術(shù)編號(hào)：11409846
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式涉及可變電阻存儲(chǔ)器件和/或其制造方法以及半導(dǎo)體器件。例如，至少一些示例實(shí)施方式涉及包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的可變電阻存儲(chǔ)器件和/或其制造方法。背景技術(shù)近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了具有可變電阻特性的存儲(chǔ)器件。這樣的存儲(chǔ)器件包括例如相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)器件、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)器件以及磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)器件。在上述存儲(chǔ)器件中，包括選擇元件和可變電阻元件的存儲(chǔ)單元可以形成在下電極和上電極之間或者在下導(dǎo)線和上導(dǎo)線之間。發(fā)明內(nèi)容一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式提供具有改善的和/...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。