技術(shù)編號：11409859
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體超結(jié)功率器件。背景技術(shù)超結(jié)功率器件是基于電荷平衡技術(shù)，可以降低導(dǎo)通電阻和寄生電容，使得超結(jié)功率器件具有極快的開關(guān)特性，可以降低開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率。如圖1所示，公知的超結(jié)功率器件包括元胞區(qū)和終端區(qū)，元胞區(qū)用于獲得低導(dǎo)通電阻，終端區(qū)用于獲得高耐壓。器件的終端區(qū)根據(jù)產(chǎn)品的具體要求，其柱狀摻雜區(qū)102的個(gè)數(shù)不同，主要用于不同產(chǎn)品的耐壓要求。器件的元胞區(qū)包括襯底外延層101的漏區(qū)100和用于與襯底外延層101雜質(zhì)形成電荷平衡的多個(gè)垂直平行...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。